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IRFR/U2905ZPbF
2400
2000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
ID= 36A
VDS= 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
1600
Ciss
12
1200
8
800
400
Coss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
Crss
10
100
0
0
10
20
SEE FIGURE 13
30 40
50
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.0
100.0
10.0
1.0
T J = 175°C
T J = 25°C
1000
100
10
1
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1msec
0.1
VGS = 0V
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
1
10
100
1000
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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